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山东天岳先进材料科技有限公司

副会长:宗艳民

山东天岳先进材料科技有限公司成立于2010年,注册地为山东省济南市高新区新宇路西侧世纪财富中心。公司专注于碳化硅衬底材料的研发和生产,立足宽禁带半导体碳化硅衬底材料,致力于宽禁带碳化硅半导体芯片、器件、应用全产业链发展,是我国宽禁带半导体材料行业的龙头企业。

山东天岳公司是国家工信部主管下的中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟理事长单位,建有碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心、国家博士后科研工作站和2个省级研发平台,先后承担二十余项国家、省部级课题。公司目前拥有核心专利210余项,2016年入选山东省首批15个核心关键技术知识产权专利群,荣获过2013年山东省技术发明一等奖、2017年济南市科技进步一等奖。

宽禁带碳化硅半导体是继硅半导体之后新近发展起来的新一代功率半导体,是支撑5G通讯、智能制造、电力电子等产业的必备器件。公司已累计投资12亿元建成亚洲规模最大的碳化硅半导体衬底材料生产基地,现已实现2-4英寸半绝缘碳化硅衬底及2-6英寸N型碳化硅衬底产业化,具备年产5万片碳化硅单晶衬底的生产能力。4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底、6英寸N型碳化硅衬底经院士专家组鉴定达到国际先进、国内领先水平。公司已成功开发出高性能SiC SBD、SiC IGBT等碳化硅基芯片及模块。公司是首批入选《“民参军”企业推荐目录》的139家单位之一,已连续两次参加军民融合展,展览期间中央和军队多位高级领导莅临展台参观并给予高度评价。

2016年下半年天岳公司宽禁带功率半导体军民融合产业链项目纳入国家集成电路“十三五”重大生产力布局重点项目库,2017年又获批承担国家十三五“核高基”两个重大专项。天岳公司正在打造的宽禁带产业链项目,是国家重点大战略、是军民融合和新旧动能转换的新引擎。

山东天岳继续加大研发和产业化投入,在宽禁带半导体碳化硅单晶衬底方面,突破4英寸高纯半绝缘碳化硅单晶生长和衬底加工关键技术,实现高纯半绝缘碳化硅单晶衬底产业化,开展6英寸半绝缘型碳化硅单晶生长和加工技术研究,并最终实现工程化应用。在碳化硅基芯片和器件方面,深入研究大功率第三代半导体电力电子芯片技术,掌握碳化硅基肖特基二极管(SiC SBD)、碳化硅基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)、碳化硅基IGBT等芯片核心关键技术并实现芯片国产化。